[2007] Jeong Hyun Moon, "Electrical Properties of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures on 4H-SiC(0001) Formed by Oxidizing Pre-deposited SixNy" > International Proceeding

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[2007] Jeong Hyun Moon, "Electrical Properties of Metal-Oxide-Sem…

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작성자 관리자 작성일16-05-09 21:35 조회341회 댓글0건

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Jeong Hyun Moon, Dong Hwan Kim, Ho Keun Song, Jeong Hyuk Yim, Wook Bahng, Nam-Kyun Kim, Kwang-Seok Seo and Hyeong Joon Kim,
"Electrical Properties of Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Structures on 4H-SiC(0001) Formed by Oxidizing Pre-deposited SixNy",
Materials Science Forum, Vols. 556-557, pp. 647-650, 2007

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