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[2002] I. S. Jeon, "Annealing Effects on Interface States and Fix…

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작성자 관리자 작성일16-05-09 21:05 조회1,712회 댓글0건

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I. S. Jeon, J. H. Park, C. S. Hwang, H. J. Kim, J. H. Lee, N. I. Lee, and H. K. Kang,
"Annealing Effects on Interface States and Fixed Charges of TiN/Al2O3/Si MOS structure deposited by Atomic LAyer Deposition",
The 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials, Nagoya, pp. 420-421, 2002

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