[2004] Chihoon Lee, "Nitrogen incorporation engineering and electrical properties of high- k gate dielectric (HfO2 and Al2O3) films on Si (100) substrate" > International Journal

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[2004] Chihoon Lee, "Nitrogen incorporation engineering and elect…

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작성자 관리자 작성일16-05-09 12:19 조회3,607회 댓글0건

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Chihoon Lee, Jihoon Choi, Moonju Cho, Jahoo Park, Cheol Seong Hwang, Hyeong  Joon Kim, and Jaehack Jeong

"Nitrogen incorporation engineering and electrical properties of high- k gate  dielectric (HfO2 and Al2O3) films on Si (100) substrate"

Journal of Vacuum Science and Technology B, 22 (4), 1838 (2004)

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