[2003] Chihoon Lee, "Arsenic penetration behavior and electrical characteristics of As-doped n+ polycrystalline-silicon/high- k gate dielectric (HfO2 and Al2O3) films on Si (100) substrate" > International Journal

본문 바로가기
사이트 내 전체검색


회원로그인

International Journal

[2003] Chihoon Lee, "Arsenic penetration behavior and electrical …

페이지 정보

작성자 관리자 작성일16-05-06 19:40 조회3,969회 댓글0건

첨부파일

본문

Chihoon Lee, Jihoon Choi, Moonju Cho, Jaehoo Park, Cheol Seong Hwang, Hyeong Joon Kim, Jaehack Jeong and Wonshik Lee

"Arsenic penetration behavior and electrical characteristics of As-doped n+  polycrystalline-silicon/high- k gate dielectric (HfO2 and Al2O3) films on Si (100) substrate"

Applied Physics Letters, 83 (7), 1403-1405, (2003)

댓글목록

등록된 댓글이 없습니다.


접속자집계

오늘
47
어제
55
최대
164
전체
51,858

(08826) 서울시 관악구 관악로 1 서울대학교 30동 521~526호 박막재료연구실
(Tel) 02-880-7168, 02-880-7378 (FAX) 02-874-7626
Copyright © Thin Film Research Lab. All rights reserved.
상단으로

모바일 버전으로 보기