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International Conference

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작성자 관리자 작성일16-05-10 01:52 조회922회 댓글0건

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Chi Hoon Lee, Jaehoo Park, Cheol Seong Hwang and Hyeong Joon Kim, "Investigation of Nitrogen in-situ incorporated Al2O3 Layer using ALD with P+ Polycrystalline-Silicon Germanium Gate", The 17th International Symposium on Intergrated Ferroelectrics (ISIF 2005), April 17-20, 2005, Sanghai, China

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