[2014] Joon Rae Kim, "Improving Growth Rate of Rapid Atomic Layer Deposition SiO2 Film by Increasing Purge Flow Rate for Short Tris(tert-pentoxy)silanol Purge Time" > International Conference

본문 바로가기
사이트 내 전체검색


회원로그인

International Conference

[2014] Joon Rae Kim, "Improving Growth Rate of Rapid Atomic Layer…

페이지 정보

작성자 관리자 작성일16-05-23 15:49 조회214회 댓글0건

본문

Joon Rae Kim et. al.

"Improving Growth Rate of Rapid Atomic Layer Deposition SiO2 Film by Increasing Purge Flow Rate for Short Tris(tert-pentoxy)silanol Purge Time"

IEEE Nanotechnology Materials and Device Conference, 2014

댓글목록

등록된 댓글이 없습니다.


접속자집계

오늘
34
어제
79
최대
164
전체
28,750

(08826) 서울시 관악구 관악로 1 서울대학교 30동 521~526호 박막재료연구실
(Tel) 02-880-7168, 02-880-7378 (FAX) 02-874-7626
Copyright © Thin Film Research Lab. All rights reserved.
상단으로

모바일 버전으로 보기