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[2014] Changhyun Kim, "Enhancement of SiO2/4H-SiC interface prope…

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작성자 관리자 작성일16-05-23 15:49 조회228회 댓글0건

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Changhyun Kim et. al.

"Enhancement of SiO2/4H-SiC interface properties using ALD oxides and nitridation"

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