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International Conference

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작성자 관리자 작성일16-05-10 02:31 조회179회 댓글0건

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Dohyun Lee, Changhyun Kim, Hunhee Lee, Suhyeong Lee, Hongjeon Kang, Hyunwoo Kim, Jeong Hyun Moon, Hyeong Joon Kim
 "Improving uniformity of Schottky barrier height of 4H-SiC Schottky Barrier Diode by nitrided sacrificial oxidation"
 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013(ICSCRM 2012), 29 Sep - 4 Oct, 2013, Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan

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