[2001] J. K. Jeong, "Epitaxial growth of SiC thin films by chemical vapor deposition using bis-trimethylsilylmethane precursor" > Domestic Proceeding

본문 바로가기
사이트 내 전체검색


회원로그인

Domestic Proceeding

[2001] J. K. Jeong, "Epitaxial growth of SiC thin films by chemic…

페이지 정보

작성자 관리자 작성일16-05-11 10:04 조회319회 댓글0건

본문

J. K. Jeong, W. Bang, M. Y. Um, H. J. Na, B. S. Kim, and H. J. Kim

"Epitaxial growth of SiC thin films by chemical vapor deposition using bis-trimethylsilylmethane precursor"

The 1st Workshop on Advanced Compound Semiconductor Processing Technology, pp.189-198, 2001

댓글목록

등록된 댓글이 없습니다.


접속자집계

오늘
23
어제
96
최대
164
전체
33,846

(08826) 서울시 관악구 관악로 1 서울대학교 30동 521~526호 박막재료연구실
(Tel) 02-880-7168, 02-880-7378 (FAX) 02-874-7626
Copyright © Thin Film Research Lab. All rights reserved.
상단으로

모바일 버전으로 보기