[2016] 이수형, "4H-SiC 기판 위에 원자층 증착법으로 증착한 게이트 산화막의 일산화질소 열처리 위치에 따른 전기적 특성" > Domestic Conference

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Domestic Conference

[2016] 이수형, "4H-SiC 기판 위에 원자층 증착법으로 증착한 게이트 산화막의 일산화질소 열처리 위치에 따른…

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작성자 관리자 작성일17-09-05 09:36 조회35회 댓글0건

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이수형, 김준래, 김현우, 강홍전, 김영석, 김형준

"4H-SiC 기판 위에 원자층 증착법으로 증착한 게이트 산화막의 일산화질소 열처리 위치에 따른 전기적 특성"

2016년 한국세라믹학회 춘계학술대회 및 총회, 송도컨벤시아, 4월 20일 ~ 22일, 2016년

(초록 공개되지 않음, 개별 문의)

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