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[2015] 강홍전, "Deep level transient spectroscopy로 측정한 4H-SiC 단결정의 p…

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작성자 관리자 작성일16-05-23 15:56 조회534회 댓글0건

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강홍전, 김현우, 이수형, 김형준

"Deep level transient spectroscopy로 측정한 4H-SiC 단결정의 point defects의 energy levels과 density"
(Energy Levels and Density of Point Defects of 4H-SiC Measured by Deep Level Transient Spectroscopy)

2015년 한국세라믹학회 추계학술대회 및 총회, 송도컨벤시아, 11월 4일~6일, 2015

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