[2015] 김준래, "고속원자층증착법을 이용한 실리콘 산화막 증착에서의 Tris(tert-pentoxy)silano…
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작성자 관리자 작성일16-05-23 15:55 조회1,176회 댓글0건첨부파일
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김준래
"고속원자층증착법을 이용한 실리콘 산화막 증착에서의 Tris(tert-pentoxy)silanol purge time의 영향"
(Effects of Tris (tert-pentoxy)silanol Purge Time on SiO2 Thin-Film Growth Rate in Rapid Atomic Layer Depo-sition)
2015년 한국세라믹학회 추계학술대회 및 총회, 송도컨벤시아, 11월 4일~6일, 2015
"고속원자층증착법을 이용한 실리콘 산화막 증착에서의 Tris(tert-pentoxy)silanol purge time의 영향"
(Effects of Tris (tert-pentoxy)silanol Purge Time on SiO2 Thin-Film Growth Rate in Rapid Atomic Layer Depo-sition)
2015년 한국세라믹학회 추계학술대회 및 총회, 송도컨벤시아, 11월 4일~6일, 2015
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