[2015] 이수형, "4H-SiC의 표면을 건식산화와 일산화질소 산화로 처리한 원자층 증착 산화막의 전기적 특성" > Domestic Conference

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Domestic Conference

[2015] 이수형, "4H-SiC의 표면을 건식산화와 일산화질소 산화로 처리한 원자층 증착 산화막의 전기적 특성&#…

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작성자 관리자 작성일16-05-23 15:52 조회332회 댓글0건

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이수형, 김준래, 김창현, 이훈희, 김현우, 강홍전, 김형준

"4H-SiC의 표면을 건식산화와 일산화질소 산화로 처리한 원자층 증착 산화막의 전기적 특성"
(Electrical Properties of ALD Oxide with dry Oxidation and Nitric Oxide Oxidation on Surface of 4H-SiC)

2015년 한국세라믹학회 춘계학술대회 및 총회, 알펜시아리조트, 4월 15일~17일, 2015

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