[2014] 이훈희, "Bis-trimethylsilymethane 소스를 이용하여 Silicon(Si)-face 와 Carbon(C)-face 기판 위에 성장 한 4H-SiC epitaxial layer의 비교 연구" > Domestic Conference

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Domestic Conference

[2014] 이훈희, "Bis-trimethylsilymethane 소스를 이용하여 Silicon(Si)-face 와…

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작성자 관리자 작성일16-05-23 15:50 조회216회 댓글0건

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Bis-trimethylsilymethane 소스를 이용하여 Silicon(Si)-face 와 Carbon(C)-face 기판 위에 성장 한 4H-SiC epitaxial layer의 비교 연구

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